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UZDT6702

更新时间： 2024-11-27 19:56:55
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8, 8 PIN

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UZDT6702 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.39最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：2 BANKS, DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

UZDT6702 数据手册

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SM-8 COMPLEMENTARY MEDIUM POWER  
ZDT6702  
DARLINGTON TRANSISTORS  
ISSUE 2 – February 1997  
C1  
C1  
C2  
C2  
B1  
E1  
B2  
E2  
NPN  
PNP  
SM-8  
PARTMARKING DETAIL – T6702  
(8 LEAD SOT223)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
NPN  
80  
PNP  
-80  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
-60  
V
10  
-10  
V
Peak Pulse Current  
4
-4  
A
Continuous Collector Current  
IC  
1.75  
-1.75  
A
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL  
Ptot  
VALUE  
UNIT  
Total Power Dissipation at Tamb = 25°C*  
Any single die “on”  
Both die “on” equally  
2.25  
2.75  
W
W
Derate above 25°C*  
Any single die “on”  
Both die “on” equally  
18  
22  
mW/ °C  
mW/ °C  
Thermal Resistance - Junction to Ambient*  
Any single die “on”  
Both die “on” equally  
55.6  
45.5  
°C/ W  
°C/ W  
* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner  
on a PCB with copper equal to 2 inches square.  
1234567

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