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UZDT795A

更新时间： 2024-09-16 15:56:27

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 140V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8

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UZDT795A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SM-8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

UZDT795A 数据手册

SM-8 DUAL PNP MEDIUM POWER

TRANSISTORS

ISSUE 1 - JULY 1999

ZDT795A

C₁

C₂

B₁

E₁

B₂

E₂

SM-8

(8 LEAD SOT223)

PARTMARKING DETAIL – T795A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-140

-5

Peak Pulse Current

-1

Continuous Collector Current

I_C

-0.5

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

P_tot

VALUE

UNIT

Total Power Dissipation at T_amb= 25°C*

Any single die “on”

Both die “on” equally

2.25

2.75

Derate above 25°C*

Any single die “on”

Both die “on” equally

mW/ °C

Thermal Resistance - Junction to Ambient*

Any single die “on”

Both die “on” equally

55.6

45.5

°C/ W

* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner

on a PCB with copper equal to 2 inches square.

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