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UTM4953G-S08-R

更新时间： 2024-09-13 07:08:55

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTM4953G-S08-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	60 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	64 ns
最大开启时间（吨）：	27 ns	Base Number Matches：	1

UTM4953G-S08-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTM4953

Power MOSFET

DUAL P-CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION

The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for use as a load switch or in

PWM applications.

SOP-8

FEATURES

* R_DS(ON)<60mΩ @V_GS=-10V

* R_DS(ON)<95mΩ @V_GS=-4.5V

* Low capacitance

* Low gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

SYMBOL

(7) (8)

(5) (6)

(4)

(2)

(3)

(1)

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Package

SOP-8

Packing

Lead Free

Halogen Free

UTM4953L-S08-R

UTM4953G-S08-R

Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-293.B

12 3 4

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与UTM4953G-S08-R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UTM4953-H	UTC	获取价格	P-CH
UTM4953L-S08-R	UTC	获取价格	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTM6006	UTC	获取价格	N-CHANNEL FAST SWITCHING MOSFET
UTM6006G-K08-5060-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL FAST SWITCHING MOSFET
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