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UT110N03G-TA3-T

更新时间： 2024-09-13 07:08:59

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UT110N03G-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	875 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	110 A
最大漏源导通电阻：	0.0048 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	440 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UT110N03G-TA3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT110N03

Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE

DESCRIPTION

The UT110N03 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

FEATURES

* V_DS(V)=26V

* I_D=110A

* R_DS(ON)=4.8mΩ@V_GS=10 V

* R_DS(ON)=7.0mΩ@V_GS=4.5 V

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

TO-220

Packing

Tube

Lead Free

Halogen Free

UT110N03G-TA3-T

UT110N03L-TA3-T

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R502-367.B

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