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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DH, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.59 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-XXSS-X2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.6 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | SPECIAL SHAPE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 5000 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| USS50A | UTC |
获取价格 |
bipolar latch type hall effect for high-temperature operation |
|
| USS5350 | UTC |
获取价格 |
50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR |
|
| USS5350G-AA3-R | UTC |
获取价格 |
50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR |
|
| USS5350G-AB3-R | UTC |
获取价格 |
50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR |
|
| USS5350G-AE3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| USS5350L-AA3-R | UTC |
获取价格 |
50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR |
|
| USS5350L-AB3-R | UTC |
获取价格 |
50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR |
|
| USS5360X | UTC |
获取价格 |
PNP |
|
| USS5550G-AB3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGE |
|
| USS7.5 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.45A, 7500V V(RRM), Silicon, DH, 2 PIN |
|
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