是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HALOGEN FREE PACKAGE-4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.24 | 最大集电极电流 (IC): | 3 A |
集电极-发射极最大电压: | 50 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 200 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
USS5350G-AB3-R | UTC |
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50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR | |
USS5350G-AE3-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, | |
USS5350L-AA3-R | UTC |
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50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR | |
USS5350L-AB3-R | UTC |
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50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR | |
USS5360X | UTC |
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PNP | |
USS5550G-AB3-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGE | |
USS7.5 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.45A, 7500V V(RRM), Silicon, DH, 2 PIN | |
USS75 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS ASSEMBLIES | |
USS810 | AGERE |
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USB 2.0 Full-Speed/Low-Speed Transceiver | |
USS810M-D | AGERE |
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USB 2.0 Full-Speed/Low-Speed Transceiver |