5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > UPS120E/TR13
UPS120E/TR13 PDF预览

UPS120E/TR13

更新时间： 2024-10-14 19:56:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 418K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, PLASTIC PACKAGE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

UPS120E/TR13 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：S-PSSO-G1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.7外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-216AA
JESD-30 代码：S-PSSO-G1元件数量：1
端子数量：1最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：20 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

UPS120E/TR13 数据手册

 浏览型号UPS120E/TR13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UPS120E/TR13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UPS120E/TR13的Datasheet PDF文件第4页 
UPS120e3  
Schottky Barrier Rectifier  
Main product characteristics  
IO  
1A  
VRRM  
20V  
Tj(MAX)  
VF(MAX)  
125ºC  
0.415V  
Features and benefits  
•
•
•
•
Low forward voltage drop  
Low profile package height  
Efficient heat path with integral locking bottom metal tab  
Low thermal resistance DO-216AA package  
Powermite 1  
(DO-216AA)  
Description and applications  
Single schottky rectifier assembled in Powermite 1® package which features a full metallic bottom that  
eliminates possibility of solder flux entrapment during assembly. The package also incorporates a unique  
locking tab which acts as an efficient heat path from die to mounting plane for external heat sinking with  
very low thermal resistance junction to case (bottom).  
This product is suitable for use in switching and regulating power supplies and also charge pump  
circuits.  
Absolute maximum ratings(1)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
20  
V
VR(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
14  
V
A
Average rectified forward output current  
(TC = 135ºC)  
IO  
1.0  
Peak repetitive forward current  
(100kHz square wave, TC = 135ºC)  
Non repetitive peak forward surge current  
(8.3ms single half sine wave)  
IFRM  
IFSM  
2.0  
50  
A
A
dV/dt  
TSTG  
TJ  
Voltage rate of change (at max VR)  
Storage temperature  
10000  
V/µs  
ºC  
-55 to +150  
-55 to +125  
Junction temperature  
ºC  
(1) All ratings at 25ºC unless specified otherwise  
Copyright © 2008  
June 2008 Rev E  
1/4  
www.Microsemi.com  
1234

中文翻译

下载PDF

与UPS120E/TR13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPS120E3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS120E3/TR13 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS120E3/TR7 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS120EE3/TR7 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS120TR13E3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS120TR7E3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS12240 CSB-BATTERY

获取价格

 		specially designed for high efficient discharge application
UPS122406 CSB-BATTERY

获取价格

 		Its characteristics are high energy density, small footprint and high discharge efficiency
UPS122406_16 CSB-BATTERY

获取价格

 		Cells per unit 6 Voltage per unit 12
UPS122406_17 CSB-BATTERY

获取价格

 		Valve Regulated Lead Acid Battery

与UPS120E/TR13相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证