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UPS120E3

更新时间： 2024-10-14 21:12:11

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	417K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERMITE-2

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UPS120E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-216AA
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERMITE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.51
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.25 V	JEDEC-95代码：	DO-216AA
JESD-30 代码：	S-PDSO-G1	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	20 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

UPS120E3 数据手册

UPS120e3

Schottky Barrier Rectifier

Main product characteristics

I_O

V_RRM

20V

T_j(MAX)

V_F(MAX)

125ºC

0.415V

Features and benefits

•

Low forward voltage drop

Low profile package height

Efficient heat path with integral locking bottom metal tab

Low thermal resistance DO-216AA package

Powermite 1

(DO-216AA)

Description and applications

Single schottky rectifier assembled in Powermite 1^®package which features a full metallic bottom that

eliminates possibility of solder flux entrapment during assembly. The package also incorporates a unique

locking tab which acts as an efficient heat path from die to mounting plane for external heat sinking with

very low thermal resistance junction to case (bottom).

This product is suitable for use in switching and regulating power supplies and also charge pump

circuits.

Absolute maximum ratings⁽¹⁾

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_R(RMS)

RMS Reverse Voltage

Average rectified forward output current

(T_C= 135ºC)

I_O

1.0

Peak repetitive forward current

(100kHz square wave, T_C= 135ºC)

Non repetitive peak forward surge current

(8.3ms single half sine wave)

I_FRM

I_FSM

2.0

dV/dt

T_STG

T_J

Voltage rate of change (at max V_R)

Storage temperature

10000

V/µs

ºC

-55 to +150

-55 to +125

Junction temperature

ºC

⁽¹⁾All ratings at 25ºC unless specified otherwise

June 2008 Rev E

1/4

www.Microsemi.com

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPS120E3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS120E3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS120EE3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS120TR13E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS120TR7E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, P
UPS12240	CSB-BATTERY	获取价格	specially designed for high efficient discharge application
UPS122406	CSB-BATTERY	获取价格	Its characteristics are high energy density, small footprint and high discharge efficiency
UPS122406_16	CSB-BATTERY	获取价格	Cells per unit 6 Voltage per unit 12
UPS122406_17	CSB-BATTERY	获取价格	Valve Regulated Lead Acid Battery
UPS123606	CSB-BATTERY	获取价格	specially designed for high efficient discharge application

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