Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波开关> UPG2008TB-E3

UPG2008TB-E3

更新时间： 2024-11-21 03:12:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	58K
描述
GaAs INTEGRATED CIRCUIT

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UPG2008TB-E3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
最大输入功率 (CW)：	28.06 dBm	最大插入损耗：	0.9 dB
JESD-609代码：	e0	最大工作频率：	2500 MHz
最小工作频率：	500 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-45 °C	射频/微波设备类型：	SPDT
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

UPG2008TB-E3 数据手册

DATA SHEET

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

µPG2008TB

L, S-BAND SPDT SWITCH

DESCRIPTION

The µPG2008TB is an L, S-band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for

digital cellular, cordless telephone and other L, S-band wireless application. The device can operate from 500 MHz

to 2.5 GHz, having the low insertion loss. It housed in an original 6-pin super minimold package that is smaller than

usual 6-pin minimold easy to install and contributes to miniaturizing the system.

FEATURES

•

Low insertion loss

: L^INS= 0.3 dB TYP. @ V^cont= +3.0 V/0 V, f = 1 GHz

L^INS= 0.4 dB TYP. @ V^cont= +3.0 V/0 V, f = 2 GHz

: ISL = 27 dB TYP. @ V^cont= +3.0 V/0 V, f = 0.5 to 2.0 GHz

•

High isolation

6-pin super minimold package (2.0 × 1.25 × 0.9 mm)

APPLICATION

•

L, S-band digital cellular or cordless telephone

Buletooth^TM, W-LAN and WLL applications

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

Marking

G3D

Supplying Form

• Embossed tape 8 mm wide

µPG2008TB-E3

6-pin super minimold

• Pin 1, 2, 3 face the perforation side of the tape

• Qty 3 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

Part number for sample order: µPG2008TB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PG10193EJ01V0DS (1st edition)

Date Published November 2002 CP(K)

Printed in Japan

NEC Compound Semiconductor Devices 2002

12 3 4 5 6 7...10

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与UPG2008TB-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPG2008TB-E3-A	NEC	获取价格	SPDT, 500MHz Min, 2500MHz Max, 0.9dB Insertion Loss-Max, 2.0 X 1.25 MM, 0.9 MM HEIGHT, PLA
UPG2008TK	CEL	获取价格	NECs L,S BAND ULTRA SMALL SPDT GaAs MMIC SWITCH
UPG2008TK-A	NEC	获取价格	SPDT, 500MHz Min, 2500MHz Max, 0.85dB Insertion Loss-Max, 1.50 X 1.10 MM, 0.55 MM HEIGHT,
UPG2008TK-E2	CEL	获取价格	NECs L,S BAND ULTRA SMALL SPDT GaAs MMIC SWITCH
UPG2009TB	NEC	获取价格	NECs L, S-BAND 4W SPDT SWITCH
UPG2009TB	CEL	获取价格	L, S-Band HIGH POWER SPDT SWITCH
UPG2009TB_1	NEC	获取价格	L-BAND HIGH POWER SPDT SWITCH
UPG2009TB-A	NEC	获取价格	SPDT, 500MHz Min, 2500MHz Max, 0.5dB Insertion Loss-Max, 2 X 1.25 MM, 0.90 MM HEIGHT, SUPE
UPG2009TB-E3	NEC	获取价格	NECs L, S-BAND 4W SPDT SWITCH
UPG2009TB-E3	RENESAS	获取价格	500MHz - 2500MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 0.5dB INSERTION LOSS, 2 X 1.25

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