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UPG2008TB-E3

更新时间: 2024-01-20 06:19:18
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 58K
描述
GaAs INTEGRATED CIRCUIT

UPG2008TB-E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.63
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
最大输入功率 (CW):28.06 dBm最大插入损耗:0.9 dB
JESD-609代码:e6最大工作频率:2500 MHz
最小工作频率:500 MHz最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-45 °C射频/微波设备类型:SPDT
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)Base Number Matches:1

UPG2008TB-E3 数据手册

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µPG2008TB  
PIN CONNECTIONS  
Pin No.  
Pin Name  
OUT1  
GND  
(Top View)  
(Bottom View)  
1
2
3
4
5
6
3
2
1
4
5
6
4
5
6
3
2
1
OUT2  
Vcont2  
IN  
Vcont1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C, unless otherwise specified)  
Parameter  
Control Voltage 1, 2  
Symbol  
Vcont1, 2  
Pin  
Ratings  
6.0 to +6.0Note  
+28  
Unit  
V
Input Power  
dBm  
W
Total Power Dissipation  
Operating Ambient Temperature  
Storage Temperature  
Ptot  
0.15  
TA  
45 to +85  
55 to +150  
°C  
Tstg  
°C  
Note Vcont1-Vcont2 6.0 V  
RECOMMENDED OPERATING RENGE (TA = +25°C)  
Parameter  
Control Voltage (High)  
Control Voltage (Low)  
Symbol  
Vcont(H)  
Vcont(L)  
MIN.  
+2.5  
0.2  
TYP.  
+3.0  
0
MAX.  
+5.3  
+0.2  
Unit  
V
V
2
Data Sheet PG10193EJ01V0DS  

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