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UPD461016LLE-A12

更新时间: 2024-02-25 23:29:35
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 219K
描述
x16 SRAM

UPD461016LLE-A12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.88最长访问时间:12 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J44JESD-609代码:e0
长度:28.73 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX16输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD461016LLE-A12 数据手册

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