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UPD4516161AG5-A10B-9NF

更新时间: 2024-01-17 15:47:26
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
88页 1099K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

UPD4516161AG5-A10B-9NF 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.51
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:7 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G50长度:20.86 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm

UPD4516161AG5-A10B-9NF 数据手册

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µPD4516421A, 4516821A, 4516161A for Rev.P  
[µPD4516161A]  
50-pin Plastic TSOP (II) (10.16mm (400))  
512K words × 16 bits × 2 banks  
V
CC  
1
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
V
SS  
DQ0  
DQ1  
2
DQ15  
DQ14  
3
V
SS  
Q
4
VSSQ  
DQ2  
DQ3  
5
DQ13  
DQ12  
6
V
CC  
Q
7
VCCQ  
DQ4  
DQ5  
8
DQ11  
DQ10  
9
V
SS  
Q
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
VSSQ  
DQ6  
DQ7  
DQ9  
DQ8  
V
CC  
Q
VCCQ  
LDQM  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
A11  
A10  
A0  
NC  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
A9  
A8  
A7  
A1  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
V
CC  
V
SS  
A0 to A11 Note  
DQ0 to DQ15  
CLK  
: Address inputs  
: Data inputs / outputs  
: Clock input  
CKE  
: Clock enable  
/CS  
: Chip select  
/RAS  
: Row address strobe  
: Column address strobe  
: Write enable  
/CAS  
/WE  
LDQM  
UDQM  
VCC  
: Lower DQ mask enable  
: Upper DQ mask enable  
: Supply voltage  
VSS  
: Ground  
Note A0 to A10 : Row address inputs  
VCCQ  
: Supply voltage for DQ  
: Ground for DQ  
VSSQ  
A0 to A7 : Column address inputs  
NC  
: No connection  
A11  
: Bank select  
6
Data Sheet E0122N10  

与UPD4516161AG5-A10B-9NF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UPD4516161AG5-A10L-9NF NEC Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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UPD4516161AG5-A12-9NF NEC Synchronous DRAM, 1MX16, 8ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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UPD4516161AG5-A12L-9NF NEC Synchronous DRAM, 1MX16, 8ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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UPD4516161AG5-A80-9NF ETC x16 SDRAM

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UPD4516161AG5-A80L-9NF NEC Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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UPD4516161G5-A10 ELPIDA Synchronous DRAM, 1MX16, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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