5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2-R, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20.95 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2-R |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD434000G5M-55L | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| UPD434000G5M-55LL | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| UPD434000G5M-70 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| UPD434000G5M-70L | NEC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32 |
|
| UPD434000G5M-70LL | NEC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32 |
|
| UPD434000G5M-85 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| UPD434000G5M-85L | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| UPD434000G5M-85LL | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| UPD434000GW-10 | NEC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
|
| UPD434000GW-10L | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
