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UPD434000GW-55L

更新时间: 2024-11-30 20:12:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 159K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

UPD434000GW-55L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.85 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:11.3 mm
Base Number Matches:1

UPD434000GW-55L 数据手册

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