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UPD424402GSM-80L

更新时间: 2024-01-08 22:31:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 691K
描述
IC,DRAM,STATIC COL,1MX4,CMOS,TSSOP,20PIN,PLASTIC

UPD424402GSM-80L 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP2-R,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G20
长度:17.14 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

UPD424402GSM-80L 数据手册

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