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UPD424402LA-80

更新时间: 2024-10-14 20:26:55
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 691K
描述
1MX4 STATIC COLUMN DRAM, 80ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

UPD424402LA-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ20/26,.34
针数:20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:80 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J20
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:4
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ20/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024最大待机电流:0.001 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

UPD424402LA-80 数据手册

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