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UPD424402LA-60

更新时间: 2024-10-14 20:14:19
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 367K
描述
Static Column DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

UPD424402LA-60 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-J20
长度:17.4 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:3.7 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.57 mm
Base Number Matches:1

UPD424402LA-60 数据手册

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