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UPD4217902LG5M

更新时间: 2024-09-17 03:34:03
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日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
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2页 75K
描述
Static Column DRAM, 2MX9, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

UPD4217902LG5M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:STATIC COLUMN其他特性:CAS BEFORE RAS
JESD-30 代码:R-PDSO-G32长度:20.95 mm
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:2MX9
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD4217902LG5M 数据手册

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