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UPD4216800LLE-A70

更新时间： 2024-02-26 16:30:29

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	917K
描述
3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE

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UPD4216800LLE-A70 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-J28	长度：	18.67 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD4216800LLE-A80	NEC	获取价格	3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE
UPD4216802G5M	NEC	获取价格	Static Column DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
UPD4216802LG5	NEC	获取价格	Static Column DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
UPD4216802LG5M	NEC	获取价格	Static Column DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
UPD4216805	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE
UPD4216805-50	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE
UPD4216805-60	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE
UPD4216805-70	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE
UPD4216805G5-50	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE
UPD4216805G5-50-7JD	RENESAS	获取价格	UPD4216805G5-50-7JD