Datasheet > 存储 > DRAM> UPD4216800LLE-A80

UPD4216800LLE-A80

更新时间： 2024-01-11 19:09:26

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	917K
描述
3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPD4216800LLE-A80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ,
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
长度：	18.67 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	3.7 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD4216802G5M	NEC	获取价格	Static Column DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
UPD4216802LG5	NEC	获取价格	Static Column DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
UPD4216802LG5M	NEC	获取价格	Static Column DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
UPD4216805	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE
UPD4216805-50	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE
UPD4216805-60	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE
UPD4216805-70	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE
UPD4216805G5-50	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE
UPD4216805G5-50-7JD	RENESAS	获取价格	UPD4216805G5-50-7JD
UPD4216805G5-60	NEC	获取价格	16M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT, HYPER PAGE MODE