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UPD4216800LG5M-A80

更新时间: 2024-01-20 10:34:46
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 688K
描述
Fast Page DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28

UPD4216800LG5M-A80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP2-R,
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G28内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.1 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD4216800LG5M-A80 数据手册

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