Datasheet > UPD421165G5-25-7JF

UPD421165G5-25-7JF

更新时间： 2024-09-16 19:11:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
46页	860K
描述
EDO DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPD421165G5-25-7JF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.41 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	256	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...46

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD421165G5-25-7JF-A	NEC	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
UPD421165G5-25-A	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
UPD421165G5-30	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
UPD421165G5-30-7JF	NEC	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
UPD421165G5-30-A	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
UPD421165G5-35	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
UPD421165G5-35-7JF	NEC	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
UPD421165LE-25	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
UPD421165LE-25-A	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM
UPD421165LE-30	ETC	获取价格	x16 EDO Page Mode DRAM