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UPD29F160LGZ-B12T-MJH

更新时间: 2024-10-14 21:18:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
47页 1865K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX16/2MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC

UPD29F160LGZ-B12T-MJH 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
备用内存宽度:8启动块:TOP
命令用户界面:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,31
端子数量:48字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

UPD29F160LGZ-B12T-MJH 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,SOP,44PIN,PLASTIC
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IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,SOP,44PIN,PLASTIC
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EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC
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EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC
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IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
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IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
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