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UPD29F800ALGZ-C12BXMKH

更新时间： 2024-11-14 14:36:31

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瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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43页	1784K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC

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UPD29F800ALGZ-C12BXMKH 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	120 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2.2/2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	反向引出线：	YES
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...43

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD29F800ALGZ-C12T-MJH	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|512KX16/1MX8\|CMOS\|TSSOP\|48PIN\|PLASTIC
UPD29F800ALGZ-C15B-MJH	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|512KX16/1MX8\|CMOS\|TSSOP\|48PIN\|PLASTIC
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UPD29F800LGX-B12B	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|512KX16/1MX8\|CMOS\|SOP\|44PIN\|PLASTIC
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