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UPD29F800ALGZ-B90TXMJH

更新时间: 2024-10-14 20:51:15
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 1785K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC

UPD29F800ALGZ-B90TXMJH 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:90 ns备用内存宽度:8
启动块:TOP命令用户界面:YES
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e0
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16部门数/规模:1,2,1,15
端子数量:48字数:524288 words
字数代码:512000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-20 °C组织:512KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:YES类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

UPD29F800ALGZ-B90TXMJH 数据手册

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与UPD29F800ALGZ-B90TXMJH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD29F800ALGZ-C12B-MJH ETC

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EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC
UPD29F800ALGZ-C12BXMJH RENESAS

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IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
UPD29F800ALGZ-C12BXMKH RENESAS

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IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
UPD29F800ALGZ-C12T-MJH ETC

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EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC
UPD29F800ALGZ-C15B-MJH ETC

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EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC
UPD29F800ALGZ-C15T-MJH ETC

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EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC
UPD29F800LGX-B12B ETC

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EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|SOP|44PIN|PLASTIC
UPD29F800LGX-B12B-MJH ETC

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EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC
UPD29F800LGX-B12B-MKH ETC

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EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC
UPD29F800LGX-B12T ETC

获取价格

EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|SOP|44PIN|PLASTIC