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UPD2118D

更新时间: 2024-09-13 15:56:07
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 451K
描述
IC,DRAM,PAGE MODE,16KX1,MOS,DIP,16PIN,CERAMIC

UPD2118D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
最长访问时间:150 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM
内存宽度:1端子数量:16
字数:16384 words字数代码:16000
最高工作温度:80 °C最低工作温度:-10 °C
组织:16KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:128子类别:DRAMs
最大压摆率:0.022 mA表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

UPD2118D 数据手册

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