Datasheet > UPA872TD-T3FB

UPA872TD-T3FB

更新时间： 2024-02-19 12:09:29

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	85K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA872TD-T3FB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1.2 pF	集电极-发射极最大电压：	5.5 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz
Base Number Matches：	1

UPA872TD-T3FB 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

µPA872TD

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS)

IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

•

Built-in low voltage operation, low phase distortion transistor suited for OSC operation

f^T= 5.5 GHz TYP., S^21e²= 4.0 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 10 mA, f = 2 GHz

Built-in 2 transistors (2 × 2SC5676)

•

6-pin lead-less minimold package

BUILT-IN TRANSISTORS

Q1, Q2

3-pin thin-type ultra super minimold part No.

2SC5676

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

Supplying Form

µPA872TD

µPA872TD-T3

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Q1 Collector), Pin 6 (Q1 Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.

Unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

5.5

1.5

100

tot ^Note

190 in 1 element

210 in 2 elements

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

°C

T^stg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy substrate

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P15362EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

2001

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA872TD-T3FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M
UPA873TC	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TD	ETC	获取价格	Discrete

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