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UPA873TS-T3FB-A

更新时间： 2024-01-29 00:46:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	45K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA873TS-T3FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	0.8 pF
集电极-发射极最大电压：	5.5 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz
Base Number Matches：	1

UPA873TS-T3FB-A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

µPA873TS

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS)

IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

•

Built-in low voltage operation, low phase distortion transistor suited for OSC applications

f^T= 4.5 GHz TYP., S21e ²= 4.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

Built-in 2 transistors (2 × 2SC5800)

•

6-pin super lead-less minimold package

BUILT-IN TRANSISTORS

Q1, Q2

Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold part No.

2SC5800

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

Supplying Form

µPA873TS

µPA873TS-T3

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Q1 Collector), Pin 6 (Q1 Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10334EJ02V0DS (2nd edition)

Date Published September 2003 CP(K)

Printed in Japan

The mark shows major revised points.



NEC Compound Semiconductor Devices 2002, 2003

12 3 4 5 6 7

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与UPA873TS-T3FB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA880TS	NEC	获取价格	NPN SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS) IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (10
UPA880TSFB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA880TSFB-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA880TSFB-T3	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA880TSFB-T3-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA880TS-T3	NEC	获取价格	NPN SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS) IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (10
UPA891TC	ETC	获取价格	Discrete
UPA891TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA891TC-FB-A	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA891TC-T1FB	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR

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