Datasheet > UPA872TD-T3FB-A

UPA872TD-T3FB-A

更新时间： 2024-02-08 00:43:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	85K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPA872TD-T3FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1.2 pF	集电极-发射极最大电压：	5.5 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz	Base Number Matches：	1

UPA872TD-T3FB-A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

µPA872TD

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS)

IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

•

Built-in low voltage operation, low phase distortion transistor suited for OSC operation

f^T= 5.5 GHz TYP., S^21e²= 4.0 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 10 mA, f = 2 GHz

Built-in 2 transistors (2 × 2SC5676)

•

6-pin lead-less minimold package

BUILT-IN TRANSISTORS

Q1, Q2

3-pin thin-type ultra super minimold part No.

2SC5676

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

Supplying Form

µPA872TD

µPA872TD-T3

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Q1 Collector), Pin 6 (Q1 Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.

Unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

5.5

1.5

100

tot ^Note

190 in 1 element

210 in 2 elements

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

°C

T^stg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy substrate

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P15362EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

2001

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

与UPA872TD-T3FB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA873TC	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TC-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA873TD	ETC	获取价格	Discrete
UPA873TD-A	RENESAS	获取价格	UPA873TD-A

与UPA872TD-T3FB-A相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

43
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

30
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

68
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA872TD-T3FB-A

UPA872TD-T3FB-A 技术参数

UPA872TD-T3FB-A 数据手册

与UPA872TD-T3FB-A相关器件

与UPA872TD-T3FB-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA872TD-T3FB-A

UPA872TD-T3FB-A 技术参数

UPA872TD-T3FB-A 数据手册

与UPA872TD-T3FB-A相关器件

与UPA872TD-T3FB-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？