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UPA869TDFB-T3

更新时间： 2024-02-11 21:06:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	66K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, M16, 1208, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA869TDFB-T3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	最大集电极电流 (IC)：	0.04 A
基于收集器的最大容量：	0.4 pF	集电极-发射极最大电压：	5 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	标称过渡频率 (fT)：	18000 MHz
Base Number Matches：	1

UPA869TDFB-T3 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NPN SILICON + SiGe RF TWIN TRANSISTOR

µPA869TD

NPN SILICON + SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PACKAGE)

FEATURES

•

2 different built-in transistors (NESG2046M33, 2SC5800)

Q1: High gain SiGe transistor

f^T= 18 GHz TYP., S21e²= 13 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz

Q2: Low phase distortion transistor suited for OSC applications

f^T= 6.5 GHz TYP., S21e²= 5.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz

6-pin lead-less minimold (M16, 1208 package)

•

BUILT-IN TRANSISTORS

−

3-pin super lead-less minimold part No.

NESG2046M33

3-pin thin-type ultra super minimold part No.

−

2SC5800

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

Supplying Form

µPA869TD

µPA869TD-T3

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Q1 Collector), Pin 6 (Q1 Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10460EJ01V0DS (1st edition)

Date Published January 2004 CP(K)

Printed in Japan



NEC Compound Semiconductor Devices 2004

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA869TDFB-T3-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA869TD-T3	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS MINIMOLD, M16, 1208, 6
UPA869TD-T3FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA869TS	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA869TSFB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA869TSFB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA869TSFB-T3	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA869TSFB-T3-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA869TS-T3	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA871TD	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 5.5V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TSOP

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