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UPA863TD-T3-A

更新时间： 2024-01-20 14:02:24

品牌	Logo	应用领域
CEL		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
27页	726K
描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

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UPA863TD-T3-A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.31
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz

UPA863TD-T3-A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

μPA863TD

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

•

Low voltage operation

2 different built-in transistors (2SC5436, 2SC5800)

Q1: Built-in high gain transistor

f^T= 12.0 GHz TYP., ⏐S^21e⏐²= 9.0 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 10 mA, f = 2 GHz

Q2: Built-in low phase distortion transistor suited for OSC operation

f^T= 4.5 GHz TYP., ⏐S^21e⏐²= 4.0 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 5 mA, f = 2 GHz

6-pin lead-less minimold package

•

BUILT-IN TRANSISTORS

3-pin thin-type ultra super minimold part No.

2SC5436

2SC5800

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

Supplying Form

μPA863TD-A

μPA863TD-T3-A

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Q1 Collector), Pin 6 (Q1 Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, consult your nearby sales office.

Unit sample quantity is 50 pcs.

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Document No. P15686EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published July 2001 NS CP(K)

12 3 4 5 6 7...27

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA863TD-T3FB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
UPA863TD-T3FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS
UPA863TD-T3-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA863TD-T3FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS
UPA863TS	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA863TS-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEA
UPA863TS-T3	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA863TS-T3FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEA
UPA867TS-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, S Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA867TS-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,

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