Datasheet > UPA828TD-T3-A

UPA828TD-T3-A

更新时间： 2024-02-06 14:56:54

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	298K
描述
UPA828TD-T3-A

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPA828TD-T3-A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.8 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	11000 MHz

UPA828TD-T3-A 数据手册

μPA828TD

INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG

vs. COLLECTOR CURRENT

INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG

vs. COLLECTOR CURRENT

MSG

MAG

MSG

|S21e

CE = 1 V

CE = 2 V

f = 1 GHz

Collector Current I

100

Collector Current I (mA)

100

(mA)

INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG

vs. COLLECTOR CURRENT

INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG

vs. COLLECTOR CURRENT

MSG

MAG

MSG

MAG

|S21e

CE = 1 V

VCE = 2 V

f = 2 GHz

Collector Current I

100

Collector Current I (mA)

100

(mA)

INSERTION POWER GAIN, MAG

vs. COLLECTOR CURRENT

INSERTION POWER GAIN, MAG

vs. COLLECTOR CURRENT

MAG

|S21e

CE = 1 V

CE = 2 V

f = 4 GHz

Collector Current I

100

Collector Current I (mA)

100

(mA)

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

Data Sheet PU10402EJ03V0DS

1...4 5 678 9 10

下载PDF

与UPA828TD-T3-A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPA828TD-T3-A-FB	RENESAS	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
UPA828TD-T3FB-A	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD,	获取价格
UPA828TF	NEC	HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-P	获取价格
UPA828TF_99	NEC	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR	获取价格
UPA828TF-KB	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, MIN	获取价格
UPA828TF-T1	NEC	HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-P	获取价格