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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 3 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 11000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UPA828TC-T1 | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT |
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| UPA828TC-T1KB | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT |
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| UPA828TC-T1KB-A | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT |
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| UPA828TD-A | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEAD FREE |
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| UPA828TD-FB | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD, |
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| UPA828TD-FB-A | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD, |
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