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UPA1816GR-9JG

更新时间： 2024-02-14 15:29:24

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	79K
描述
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

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UPA1816GR-9JG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	POWER, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.0225 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1816GR-9JG 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA1816

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR SWITCHING

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

DESCRIPTION

The µPA1816 is a switching device which can be

driven directly by a 1.8 V power source.

This device features a low on-state resistance and

excellent switching characteristics, and is suitable for

applications such as power management of notebook

computers and so on.

1, 2, 3 : Source

: Gate

5, 6, 7, 8: Drain

1.2 MAX.

1.0 ±0.05

0.25

FEATURES

• 1.8 V drive available

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 15 mΩ MAX. (V^GS= −4.5 V, I^D= −4.5 A)

R^DS(on)2= 16 mΩ MAX. (V^GS= −4.0 V, I^D= −4.5 A)

R^DS(on)3= 22.5 mΩ MAX. (V^GS= −2.5 V, I^D= −4.5 A)

R^DS(on)4= 41.5 mΩ MAX. (V^GS= −1.8 V, I^D= −2.5 A)

• Built-in G-S protection diode against ESD

+5°

–3°

3°

0.5

0.1 ±0.05

+0.15

–0.1

0.6

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

1.0 ±0.2

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

0.65

0.8 MAX.

0.1

µPA1816GR-9JG

Power TSSOP8

+0.03

–0.08

0.27

0.10 M

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^A= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

−12

m ^8.0

Drain

9.0

Body

Total Power Dissipation ^Note2

Diode

Gate

2.0

°C

Channel Temperature

Tch

150

Gate

Storage Temperature

Tstg

−55 to +150

Protection

Diode

Source

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Mounted on ceramic substrate of 5000 mm²x 1.1 mm

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When

this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated

voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published July 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

G16252EJ1V0DS00 (1st edition)

2002

12 3 4 5 6 7 8

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UPA1818GR-9JG-A	RENESAS	获取价格	10000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, POWER, TSSOP-8
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