UNR921NG

更新时间： 2024-02-03 21:52:12

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	203K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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UNR921NG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	6
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

UNR921NG 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UN9211/9212/9213/9214/9215/9216/9217/9218/9219/9210/921D/

921E/921F/921K/921L/UNR921M/921N/921AJ/921BJ/921CJ

Silicon NPN epitaxial planer transistor

Unit: mm

For digital circuits

1.6±0.15

0.4

0.8±0.1

0.4

Features

■

●

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

●

SS-Mini type package, allowing automatic insertion through tape

packing and magazine packing.

Resistance by Part Number

■

Marking Symbol (R₁)

(R₂)

10kΩ

22kΩ

47kΩ

—

5.1kΩ

10kΩ

—

10kΩ

22kΩ

10kΩ

4.7kΩ

47kΩ

100kΩ

—

0.2±0.1

●

UN9211

UN9212

UN9213

UN9214

UN9215

UN9216

UN9217

UN9218

UN9219

UN9210

UN921D

UN921E

UN921F

UN921K

UN921L

UNR921M

UNR921N

UNR921AJ

UNR921BJ

UNR921CJ

10kΩ

22kΩ

47kΩ

10kΩ

4.7kΩ

22kΩ

0.51kΩ

1kΩ

47kΩ

4.7kΩ

10kΩ

4.7kΩ

2.2kΩ

4.7kΩ

100kΩ

—

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

SS–Mini Type Pakage

Unit: mm

1.60±0.05

0.80 0.80±0.05

0.425 0.425

0.85⁺–⁰0.^.0⁰3⁵

47kΩ

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

SS–Mini Flat Type Pakage (J type)

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Internal Connection

100

˚C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

125

T_j

125

T_stg

–55 to +125

˚C

12 3 4 5 6 7...15

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