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UNR52ANG

更新时间： 2024-11-21 20:57:35

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	501K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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UNR52ANG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	BUILT IN BAIS RESISTOR RATIO IS 10	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

UNR52ANG 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNR52ANG

Silicon NPN epitaxial planar type

For digital circuits

 Features

 Package

 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of

the number of parts.

ꢀCode

SMini3-F2

ꢀPin Name

1: Base

 SMini type package allowing easy automatic insertion through tape packing

2: Emitter

3: Collector

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

Unit

 Marking Symbol: KL

 Internal Connection

°C

R₁(4.7 kΩ)

Total power dissipation

P_T

150

Junction temperature

T_j

150

R₂

(47 kΩ)

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

V_CBOI_C= 10 mA, I_E= 0

V_CEOI_C= 2 mA, I_B= 0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

0.1

0.5

0.2

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

4.9

400

0.25



V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 0.3 mA

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= 5 V, V_B= 0.5 V, R_L= 1 kW

Output voltage low-level

V_CC= 5 V, V_B= 2.5 V, R_L= 1 kW

0.2

Input resistance

–30%

4.7

0.1

+30%



Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

Transition frequency

V_CB= 10 V, I_E= –2 mA, f = 200 MHz

150

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: July 2008

SJH00296AED

12 3 4

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UNR52ANG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
UNR52AMG	PANASONIC	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR52A4G	PANASONIC	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR32A3	PANASONIC	类似代替	Silicon NPN epitaxial planar type

与UNR52ANG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR52ATG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR52AVG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR6110(UN6110)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR6110Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71
UNR6110R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
UNR6110S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
UNR6111	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
UNR6111(UN6111)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR6112	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
UNR6112(UN6112)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor

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