5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > UNR52AMG
UNR52AMG PDF预览

UNR52AMG

更新时间： 2024-11-21 21:17:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 686K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

UNR52AMG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.83
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36最大集电极电流 (IC)：0.08 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

UNR52AMG 数据手册

 浏览型号UNR52AMG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UNR52AMG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UNR52AMG的Datasheet PDF文件第4页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors with built-in Resistor  
UNR52AMG  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For digital circuits  
Features  
Package  
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of  
the number of parts.  
ꢀCode  
SMini3-F2  
ꢀPin Name  
1: Base  
SMini type package allowing easy automatic insertion through tape packing  
2: mitter  
ctor  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
I
Ratin
Unit  
V
Marking Symbol: KH  
Internal Connection  
50  
V
mA  
mW  
°C  
R1 (2.2 kΩ)  
Total power dissipation  
PT  
150  
C
E
B
Junction temperature  
Tj  
150  
R2  
(47 kΩ)  
Storage temperature  
T
g  
–55 to +150  
°C  
ElectricaCharacteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base ver opn)  
Collector-emitter vopen)  
Collector-base cutoff cu(Emitter open
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Output voltage high-level  
VCBO IC = 10 mA, IE = 0  
VCEO IC = 2 mA, IB = 0  
50  
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
0.1  
0.5  
0.2  
mA  
mA  
mA  
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
80  
4.9  
V
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.3 mA  
0.25  
0.2  
VOH  
VOL  
R1  
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 kW  
V
Output voltage low-level  
VCC = 5 V, VB = 2.5 V, RL = 1 kW  
V
Input resistance  
–30%  
2.2  
0.047  
150  
+30%  
kW  
Resistance ratio  
R1 / R2  
fT  
Transition frequency  
VCB = 10 V, IE = –2 mA, f = 200 MHz  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: August 2008  
SJH00295AED  
1
1234

中文翻译

下载PDF

UNR52AMG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
UNR52ANG PANASONIC

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR52A4G PANASONIC

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR32A3 PANASONIC

类似代替

 Silicon NPN epitaxial planar type

与UNR52AMG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UNR52ANG PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR52ATG PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR52AVG PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR6110(UN6110) ETC

获取价格

 		Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR6110Q ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
UNR6110R PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
UNR6110S PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
UNR6111 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
UNR6111(UN6111) ETC

获取价格

 		Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR6112 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3

与UNR52AMG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证