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UNR511EG

更新时间： 2024-11-15 20:55:15

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
18页	630K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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UNR511EG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UNR511EG 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNR511xG Series

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

■ Features

■ Package

•

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

• S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/

magazine packing

Code

SMini3-F2

Pin Name

1: Base

•

2: Emitter

3: Collector

■ Resistance by Part Number

Marking symbol (R₁)

(R₂)



■ Internal Connection

•

UNR5110G

UNR5111G

UNR5112G

UNR5113G

UNR5114G

UNR5115G

UNR5116G

UNR5117G

UNR5118G

UNR5119G

UNR511DG

UNR511EG

UNR511FG

UNR511HG

UNR511LG

UNR511MG

UNR511NG

UNR511TG

UNR511VG

UNR511ZG

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



R₁

R₂



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

−100

°C

150

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

Publication date: July 2007

SJH00196AED

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR511EGS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR511EQ	PANASONIC	获取价格	暂无描述
UNR511ER	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UNR511ES	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-
UNR511F	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR511F(UN511F)	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
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