UNR5115GR

更新时间： 2024-11-15 13:01:47

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
17页	436K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UNR5115GR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	210	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

UNR5115GR 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR511x Series (UN511x Series)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For digital circuits

+0.10

+0.1

0.15

0.3

–0.0

–0.05

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

• S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/

magazine packing

(0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

■ Resistance by Part Number

10˚

Marking symbol (R₁)

(R₂)



•

UNR5110 (UN5110)

UNR5111 (UN5111)

UNR5112 (UN5112)

UNR5113 (UN5113)

UNR5114 (UN5114)

UNR5115 (UN5115)

UNR5116 (UN5116)

UNR5117 (UN5117)

UNR5118 (UN5118)

UNR5119 (UN5119)

UNR511D (UN511D)

UNR511E (UN511E)

UNR511F (UN511F)

UNR511H (UN511H)

UNR511L (UN511L)

UNR511M (UN511M)

UNR511N (UN511N)

UNR511T (UN511T)

UNR511V (UN511V)

UNR511Z (UN511Z)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

Internal Connection



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

−100

°C

150

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: December 2003

SJH00022BED

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与UNR5115GR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR5115Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
UNR5115R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
UNR5115S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR5116	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR5116(UN5116)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR5116\|UN5116	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR5116G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR5116GQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR5116GR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR5116Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70

与UNR5115GR相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

6
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

3
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UNR5115GR

UNR5115GR 技术参数

UNR5115GR 数据手册

与UNR5115GR相关器件

与UNR5115GR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UNR5115GR

UNR5115GR 技术参数

UNR5115GR 数据手册

与UNR5115GR相关器件

与UNR5115GR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？