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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR5117(UN5117) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR5117|UN5117 | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR5117GQ | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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| UNR5117Q | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
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| UNR5117R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
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| UNR5117S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
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| UNR5118 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR5118(UN5118) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR5118|UN5118 | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR5118G | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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