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UNR5115S

更新时间： 2024-11-15 20:25:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	587K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN

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UNR5115S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	290	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

UNR5115S 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNR511x Series (UN511x Series)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For digital circuits

+0.10

+0.1

0.15

0.3

–0.0

–0.05

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

• S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/

magazine packing

(0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

■ Resistance by Part Number

10˚

Marking symbol (R₁)

(R₂)



•

UNR5110 (UN5110)

UNR5111 (UN5111)

UNR5112 (UN5112)

UNR5113 (UN5113)

UNR5114 (UN5114)

UNR5115 (UN5115)

UNR5116 (UN5116)

UNR5117 (UN5117)

UNR5118 (UN5118)

UNR5119 (UN5119)

UNR511D (UN511D)

UNR511E (UN511E)

UNR511F (UN511F)

UNR511H (UN511H)

UNR511L (UN511L)

UNR511M (UN511M)

UNR511N (UN511N)

UNR511T (UN511T)

UNR511V (UN511V)

UNR511Z (UN511Z)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

Internal Connection



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

−100

°C

150

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: December 2003

SJH00022BED

12 3 4 5 6 7...17

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与UNR5115S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR5116	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR5116(UN5116)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR5116\|UN5116	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR5116G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR5116GQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR5116GR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UNR5116Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
UNR5116R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
UNR5116S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
UNR5117	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type

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