UN6223

更新时间： 2024-01-12 02:27:09

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
5页	67K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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UN6223 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UN6223 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UN6221/6222/6223/6224

Silicon NPN epitaxial planer transistor

For digital circuits

Unit: mm

6.9±0.1

4.0

2.5±0.1

1.05

±0.05

Features

(1.45)

0.8

■

0.7

●

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

●

MT-1 type package, allowing supply with the radial taping.

0.65 max.

Resistance by Part Number

■

(R₁)

(R₂)

0.45⁺–0⁰.^.0¹5

●

UN6221

UN6222

UN6223

UN6224

2.2kΩ

4.7kΩ

10kΩ

2.2kΩ

4.7kΩ

10kΩ

2.5±0.5 2.5±0.5

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

MT-1 Type Pakage

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Internal Connection

500

˚C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

600

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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