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UN801TX

更新时间: 2024-11-26 15:56:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 93K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

UN801TX 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):180
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN AND PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

UN801TX 数据手册

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