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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UN8231A
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UN8231A

更新时间： 2024-11-25 22:17:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 35K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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UN8231A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 47最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：800JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

UN8231A 数据手册

 浏览型号UN8231A的Datasheet PDF文件第2页 
Transistors with built-in Resistor  
UN8231/UN8231A  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
2.5±0.1  
1.05  
±0.05  
6.9±0.1  
4.0  
(1.45)  
0.8  
For switching  
0.7  
Features  
High forward current transfer ratio hFE  
■
●
.
0.65 max.  
●
Resistor built-in type, allowing downsizing of the equipment and  
reduction of the number of parts.  
●
Available in a type with radial taping.  
0.45+–00..015  
2.5±0.5 2.5±0.5  
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
1 : Emitter  
2 : Collector  
3 : Base  
UN8231  
20  
Collector to  
base voltage  
VCBO  
V
UN8231A  
UN8231  
60  
MT-2 Type Package  
20  
Collector to  
emitter voltage  
VCEO  
V
UN8231A  
50  
Peak collector current  
Collector current  
ICP  
IC  
1.5  
A
A
0.7  
Internal Connection  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PT*  
Tj  
1
W
˚C  
˚C  
C
E
(
)
R1 1kΩ  
150  
B
Tstg  
–55 to +150  
R2  
47kΩ  
* Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more and thickness of  
1.7mm for the collector portion.  
(
)
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Collector cutoff current  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = 15V, IE = 0  
min  
typ  
max  
1
Unit  
µA  
µA  
ICEO  
VCE = 15V, IB = 0  
VEB = 14V, IC = 0  
10  
IEBO  
0.5  
mA  
UN8231  
UN8231A  
UN8231  
UN8231A  
20  
60  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
VCBO  
IC = 10µA, IE = 0  
V
V
20  
VCEO  
hFE  
IC = 1mA, IB = 0  
50  
Forward current transfer ratio  
*
VCE = 10V, IC = 150mA  
IC = 500mA, IB = 5mA  
800  
2100  
0.4  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
*
V
Input resistance  
R1  
fT  
0.7  
1
1.3  
kΩ  
Resistance ratio  
Transition frequency  
R1/R2  
0.016  
0.021  
200  
0.025  
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz  
MHz  
*Pulse measurement  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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