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UN9110J

更新时间： 2024-02-09 09:17:30

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
18页	309K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN

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UN9110J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UN9110J 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR91XXJ Series (UN91XXJ Series)

Silicon PNP epitaxial planer type

Unit: mm

+0.0ꢀ

1.60

–0.03

+0.03

For digital circuit

0.12

–0.01

1.00 0.0ꢀ

I Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

• SS-mini type package, allowing automatic insertion through tape

packing.

0.27 0.02

(0.ꢀ0)(0.ꢀ0)

I Resistance by Part Number

ꢀ°

Marking symbol (R₁)

(R₂)



• UNR9110J (UN9110J) 6L

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

• UNR9111J (UN9111J) 6A

• UNR9112J (UN9112J) 6B

• UNR9113J (UN9113J) 6C

• UNR9114J (UN9114J) 6D

• UNR9115J (UN9115J) 6E

• UNR9116J (UN9116J) 6F

• UNR9117J (UN9117J) 6H

• UNR9118J (UN9118J) 6I

• UNR9119J (UN9119J) 6K

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



5.1 kΩ

10 kΩ

100 kΩ



47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-89

SSMini3-F1 Package

Internal Connection

R₁

• UNR911AJ

• UNR911BJ

• UNR911CJ

100 kΩ



R₂

• UNR911DJ (UN911DJ) 6M

• UNR911EJ (UN911EJ) 6N

• UNR911FJ (UN911FJ) 6O

• UNR911HJ (UN911HJ) 6P

• UNR911LJ (UN911LJ) 6Q

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

• UNR911MJ

• UNR911NJ

• UNR911TJ (UN911TJ) EY

• UNR911VJ FC

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

Unit

−50

−100

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

125

T_j

125

T_stg

−55 to +125

°C

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: July 2001

SJH00038AED

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UN9110J 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
UN9110	PANASONIC	完全替代	Silicon PNP epitaxial planer transistor

与UN9110J相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN9110Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UN9110R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UN9110S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UN9110TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN9111	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN9111J	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UN9112	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN9112TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN9113	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN9113J	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO

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