UN7231H

更新时间： 2024-02-09 11:22:54

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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2页	33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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UN7231H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	800	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

UN7231H 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UN7231

Silicon NPN epitaxial planer transistor

Unit: mm

For amplification of the low frequency

1.5±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

Features

High forward current transfer ratio h_FE

■

45°

●

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

0.4±0.08

0.4±0.04

0.5±0.08

1.5±0.1

3.0±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

marking

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

0.7

EIAJ : SC–62

Mini-Power Type Package

Peak collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_CP

1.5

P_T*

1.0

˚C

Marking Symbol: IC

Internal Connection

T_j

150

T_stg

–55 to +150

* Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more and thickness of

1.7mm for the collector portion.

(

)

R1 1kΩ

47kΩ

(

)

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= 15V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= 15V, I_B= 0

0.5

Emitter cutoff current

I_EBO

V_EB= 14V, I_C= 0

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

V_CBO

V_CEO

h_FE

I_C= 10µA, I_E= 0

I_C= 1mA, I_B= 0

V_CE= 10V, I_C= 150mA*

I_C= 500mA, I_B= 5mA*

V_CB= 20V, I_E= –20mA, f = 200MHz

800

2100

0.4

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Transition frequency

Input resistance

f_T

MHz

kΩ

R₁

0.7

1.3

Resistance ratio

R₁/R₂

0.016

0.021

0.025

*Pulse measurement

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