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UN7231

更新时间： 2024-11-25 22:17:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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UN7231 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 47外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.7 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：800
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：55 MHz
Base Number Matches：1

UN7231 数据手册

 浏览型号UN7231的Datasheet PDF文件第2页 
Transistors with built-in Resistor  
UN7231  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For amplification of the low frequency  
1.5±0.1  
4.5±0.1  
1.6±0.2  
Features  
High forward current transfer ratio hFE  
■
45°  
●
.
●
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and  
reduction of the number of parts.  
0.4±0.08  
0.4±0.04  
0.5±0.08  
1.5±0.1  
3.0±0.15  
3
2
1
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
marking  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
20  
1 : Emitter  
2 : Collector  
3 : Base  
20  
0.7  
V
EIAJ : SC–62  
Mini-Power Type Package  
A
Peak collector current  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
ICP  
1.5  
A
PT*  
1.0  
W
˚C  
˚C  
Marking Symbol: IC  
Internal Connection  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
* Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more and thickness of  
1.7mm for the collector portion.  
C
E
(
)
R1 1kΩ  
B
R2  
47kΩ  
(
)
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = 15V, IE = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
µA  
mA  
V
1
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 15V, IB = 0  
10  
0.5  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VEB = 14V, IC = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Forward current transfer ratio  
VCBO  
VCEO  
hFE  
IC = 10µA, IE = 0  
20  
20  
IC = 1mA, IB = 0  
V
VCE = 10V, IC = 150mA*  
IC = 500mA, IB = 5mA*  
VCB = 20V, IE = –20mA, f = 200MHz  
800  
2100  
0.4  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
V
Transition frequency  
Input resistance  
fT  
55  
1
MHz  
kΩ  
R1  
0.7  
1.3  
Resistance ratio  
R1/R2  
0.016  
0.021  
0.025  
*Pulse measurement  
1
12

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