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UMZ8.2TT106

更新时间： 2024-09-17 14:45:23

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罗姆 - ROHM		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	305K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 0.2W, Silicon, Unidirectional,

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UMZ8.2TT106 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.21	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e1	膝阻抗最大值：	60 Ω
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	8.2 V	最大反向电流：	0.5 µA
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

UMZ8.2TT106 数据手册

UMZ8.2T

Diodes

Zener diode

UMZ8.2T

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Voltage regulation

1.3

(Cathode common twin type)

2.0±0.2

0.3±0.1

0.65

各リードとも

同寸法

Each lead has same dimension

0.15±0.05

zFeatures

(3)

1) Small mold type. (UMD3)

2) High reliability.

0.8MIN

UMD3

0～0.1

(2)

(1)

zConstruction

Silicon epitaxial planar

zStructure

（0.65）

0.7±0.1

0.9±0.1

1.3±0.1

ROHM : UMD3

JEDEC : SOT-323

JEITA : SC-70

dot (year week factory)

zTaping specification (Unit : mm)

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

2.25±0.1

ꢀꢀꢀꢀ 0

φ0.5±0.05

4.0±0.1

1.25±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

200

150

Symbol

Unit

℃

Power dissipation (*1)

Junction temperature

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

℃

(*1) Total of 2 elements

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

I_Z=5mA

Symbol

V_Z

Min.

Typ.

Max.

8.64

0.50

Unit

Zener voltage

7.76

µA

I_R

Reverse current

V_R=5V

Z_Z

Operating resistance

Rising operating resistance

I_Z=5mA

Z_Zk

I_Z=0.5mA

Rev.A

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