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UMZC6.8NFH

更新时间: 2024-11-07 13:15:11
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罗姆 - ROHM 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 175K
描述
Zener Diode, 6.8V V(Z), 4.92%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, UMD3, SC-70, 3 PIN

UMZC6.8NFH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.76其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W参考标准:AEC-Q101
标称参考电压:6.8 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:4.92%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

UMZC6.8NFH 数据手册

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UMZC6.8N  
Diodes  
ESD Protection diode  
UMZC6.8N  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure  
ESD Protection  
1.3  
(common anode configuration)  
2.0±0.2  
0.3±0.1  
Each lead has same dimension  
0.15±0.05  
0.65  
zFeatures  
(3)  
1) Small mold type. (UMD3)  
2) High reliability  
0.8MIN.  
0~0.1  
UMD3  
(2)  
(1)  
(0.65)  
(0.65)  
0.7±0.1  
0.9±0.1  
zConstruction  
zStructure  
1.3±0.1  
Silicon epitaxial planer  
ROHM : SMD3  
JEDEC :S0T-346  
JEITA : SC-59  
week code  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
φ1.55±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
2.25±0.1  
ꢀꢀꢀꢀ 0  
φ0.5±0.05  
4.0±0.1  
1.25±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
200  
Symbol  
Unit  
Power dissipation  
P(  
)
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
Tj  
Tstg  
-55 to +150  
zElectrical characteristic (Ta=25°C) (Rating of per diode)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
7.14  
0.50  
-
Unit  
V
Conditions  
Zener voltage  
VZ  
IR  
6.47  
-
-
IZ=5mA  
VR=3.5V  
Reverse current  
-
-
µA  
pF  
Capacitance between terminals  
Ct  
3
VR=0V , f=1MHz  
1/2  

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