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UN0231C

更新时间: 2024-11-08 22:17:23
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松下 - PANASONIC 放大器射频功率放大器
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
RF Power Amplifier Module

UN0231C 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:LCC12,.3SQ,78
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:24 dB最大输入功率 (CW):10 dBm
JESD-609代码:e0安装特点:SURFACE MOUNT
功能数量:1端子数量:12
最大工作频率:849 MHz最小工作频率:824 MHz
最高工作温度:110 °C最低工作温度:-30 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:LCC12,.3SQ,78
电源:2.5,3.5 V射频/微波设备类型:NARROW BAND HIGH POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)最大电压驻波比:3
Base Number Matches:1

UN0231C 数据手册

  
GaAs PA Module  
UN0231C  
RF Power Amplifier Module  
Unit : mm  
For the preamplifier of the transmitting section in a cellular phone  
φ 0.8  
12  
11  
10  
1
6
5
4
Features  
2
3
High efficiency with super miniature, 0.08 cc package(7.5 × 7.5 × 1.7 mm)  
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C  
7
8
9
Parameter  
Power supply voltage 1 *  
Power supply voltage 2 *  
Circuit current 1  
Symbol  
VDD1  
VDD2  
IDD1  
IDD2  
VGG  
PIN  
Ratings  
Unit  
V
(0.9)  
1
1
6
4-0.7  
2-1.2  
4.0  
7.5±0.15  
Tolerance dimension  
without indication : ±0.3  
6
V
200  
mA  
mA  
V
Circuit current 2  
800  
1 : PIN  
5 : GND  
6 : VGG  
7 : GND  
8 : GND  
9 : GND  
10 : GND  
11 : GND  
12 : GND  
Gate voltage  
4  
2 : VDD1  
3 : VDD2  
4 : POUT  
Max input power  
10  
dBm  
W
PAM01  
Allowable power dissipation  
PD  
2
2
Case temperature *  
Tcase  
Tstg  
30 to +110  
30 to +120  
°C  
Storage temperature  
°C  
Note) 1. The reverse of the device is solderd to the plate  
1
2. * : VGG=−3.5 V  
2
*
: Tcase=25°C  
Electrical Characteristics VGG=−2.5 V, f=824 MHz to 849 MHz, Ta=25°C±3°C, Nominal : ZS=ZL=50 Ω  
Parameter  
Symbol  
Iidle  
IGG  
Conditions  
min  
typ  
max  
140  
4
Unit  
mA  
mA  
mA  
mA  
dB  
Idle current  
VDD1=VDD2=3.5 V, PIN=No  
110  
1
Gate current *  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=30.5 dBm  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=30.5 dBm  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=27.0 dBm  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=30.5 dBm  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=27.0 dBm  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=30.5 dBm  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=30.5 dBm  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=30.5 dBm  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=27.0 dBm  
1
2
Circuit current 1 *  
IDD1  
600  
390  
670  
440  
Circuit current 2 *  
IDD2  
1
Gain 1 *  
G1  
24.0  
25.5  
26.5  
27.5  
2
Gain 2 *  
G2  
dB  
1
2nd harmonics *  
2fO  
30  
30  
30  
3
dBc  
dBc  
dBc  
1
3rd harmonics *  
3fO  
1
4th harmonics *  
4fO  
1
Voltage standing wave ratio *  
VSWR IN  
ACPR1  
Adjacent channel leakage  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=27.0 dBm  
±900 kHz Detuning, 30 kHz Bandwidth  
45  
dBc  
dBc  
2
power suppression 1 *  
Adjacent channel leakage  
ACPR2  
VDD1=VDD2=3.5 V, POUT=27.0 dBm  
±1980 kHz Detuning, 30 kHz Bandwidth  
57  
2
power suppression 2 *  
1
2
Note)  
*
*
: No modulation.  
: Offset from QPSK signal.  
1

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